本報(bào)上海8月11日電（記者曹繼軍、顏維琦）芯片是電腦的心臟，而芯片的核心是器件。北京時(shí)間8月10日凌晨出版的《科學(xué)》雜志宣布了一種全新的微電子基礎(chǔ)器件的誕生，這就是復(fù)旦大學(xué)張衛(wèi)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的半浮柵晶體管（SFGT）。

多年來，我國(guó)的集成電路制造工藝長(zhǎng)期處于全球產(chǎn)業(yè)鏈末端。作為微電子領(lǐng)域的重大原始創(chuàng)新，半浮柵晶體管（SFGT）的技術(shù)突破將有助于我國(guó)掌握集成電路的關(guān)鍵技術(shù)，在芯片設(shè)計(jì)與制造上獲得更大的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

在過去的幾十年里，晶體管小型化驗(yàn)證突破有兩個(gè)難題：令人咋舌的制造成本和耗電量。由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)張衛(wèi)領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì)另辟蹊徑：研發(fā)新型晶體管。經(jīng)過4年的不懈探索，張衛(wèi)課題組終于在全球范圍內(nèi)率先研發(fā)出半浮柵晶體管，實(shí)現(xiàn)了世界級(jí)的科研突破。

與傳統(tǒng)晶體管相比，半浮柵晶體管具有結(jié)構(gòu)巧、性能高的特點(diǎn)?！拔覀兂Ｓ玫腢盤等閃存芯片，采用的浮柵晶體管的器件在寫入和擦除時(shí)，需要較高的操作電壓（接近20伏）和較長(zhǎng)的時(shí)間（微秒級(jí)）?！睆埿l(wèi)說，“為了擺脫電壓和時(shí)間的束縛，我們把一個(gè)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）和浮柵晶體管結(jié)合起來，構(gòu)成了全新的‘半浮柵’結(jié)構(gòu)器件”。

張衛(wèi)介紹，半浮柵晶體管可在多類產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用，潛在市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到300億美元以上。但從實(shí)驗(yàn)室的科研論文到大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)還有一步之遙。張衛(wèi)期盼實(shí)現(xiàn)三方合作，即設(shè)計(jì)公司出產(chǎn)品、制造企業(yè)生產(chǎn)、復(fù)旦大學(xué)提供技術(shù)支持，從而加快實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。團(tuán)隊(duì)成員之一、復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授王鵬飛坦言：“我們現(xiàn)在僅領(lǐng)先半年左右?！睘榇耍瑥埿l(wèi)建議，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)需要快速構(gòu)建一個(gè)以半浮柵晶體管（SFGT）為核心技術(shù)專利的專利群，從而搶占未來世界微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)制高點(diǎn)。（延伸閱讀見6版）